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預(yù)見2024:《2024年中國MOSFET行業(yè)全景圖譜》(附市場規(guī)模、競爭格局和發(fā)展前景等)

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20 鄭玉琴 ? 2024-02-05 14:45:16  來源:前瞻產(chǎn)業(yè)研究院 E5693G0

行業(yè)主要上市公司:華潤微(688396.SH);士蘭微(600460.SH);新潔能(605111.SH);揚(yáng)杰科技(300373.SZ)等

本文核心數(shù)據(jù):中國MOSFET行業(yè)市場規(guī)模;MOSFET行業(yè)規(guī)模以上生產(chǎn)型企業(yè)數(shù)量;MOSFET行業(yè)下游應(yīng)用情況

行業(yè)概況

1、 定義

功率半導(dǎo)體 (power semiconductor)是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。功率半導(dǎo)體可以分為功率 IC(Power IC)和功率分立器件(Power Discrete,包括功率模塊)兩大類,其中功率器件是功率半導(dǎo)體分立器件的簡稱,而功率IC則是將功率半導(dǎo)體分立器件與驅(qū)動/控制/保護(hù)/接口/監(jiān)測等外圍電路集成而來。MOSFET即金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET),歸屬于功率分立器件,是場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor-FET)中的重要分類,屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有工作頻率高、功耗低、輸入阻抗高、導(dǎo)通電阻低、能效高、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。

圖表1:MOSFET在半導(dǎo)體行業(yè)中的定位

2、 MOSFET應(yīng)用領(lǐng)域廣泛

工業(yè)生產(chǎn)、電器設(shè)備等多個(gè)領(lǐng)域均離不開功率器件的應(yīng)用,不同功率分立器件特性各不相同,應(yīng)用場景差異明顯,相互之間難以替代。近年來,MOSFET的應(yīng)用領(lǐng)域不斷拓展,新型的SiC、GaN基MOSFET產(chǎn)品也憑借高壓、高頻的特性優(yōu)勢,在汽車和快充市場得到了較為廣泛的應(yīng)用。

圖表2:不同種類的功率分立器件特性對比

3、 不同類別各有優(yōu)勢

MOSFET是一種全控制型半導(dǎo)體功率分立器件,通過柵極電壓的變化來控制輸出電流的大小,并實(shí)現(xiàn)開通和關(guān)斷。常用產(chǎn)品種類較多,按載流子類型可分為N型和P型MOSFET兩大類。按溝道形成方式可分為增強(qiáng)型和耗盡型MOSFET兩種,增強(qiáng)型MOSFET是主要產(chǎn)品類型。具有輸入阻抗大、導(dǎo)通電阻小、功耗低、漏電小、工作頻率高,工藝基本成熟,成本低的特點(diǎn)。MOSFET應(yīng)用領(lǐng)域非常廣,主要使用在電源和驅(qū)動控制兩類電子產(chǎn)品中。

當(dāng)前,按照溝道結(jié)構(gòu)劃分,可以將目前的MOSFET功率器件分為平面型、溝槽型和超結(jié)型三類,其相關(guān)特征具體如下:

圖表3:MOSFET按照溝道結(jié)構(gòu)的分類

4、 產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)參與者眾多

MOSFET行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈上游包括原材料及設(shè)備,其中原材料包括硅晶圓、光刻膠、電子特氣、金屬材料等,生產(chǎn)設(shè)備覆蓋MOSFET生產(chǎn)的各個(gè)環(huán)節(jié),包括光刻機(jī)、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、檢測設(shè)備等;中游覆蓋MOSFET制造的全流程,總體與半導(dǎo)體元器件制造流程一致,包括設(shè)計(jì)、制造與封測;下游包括網(wǎng)絡(luò)通信、消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)電子等多個(gè)領(lǐng)域??傮w來看,產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)參與者眾多,部分重要環(huán)節(jié)有多家海外廠商參與國內(nèi)市場的競爭。

圖表4:MOSFET行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈

圖表5:MOSFET行業(yè)全景圖譜

行業(yè)發(fā)展歷程:MOSFET國產(chǎn)替代不斷推進(jìn)

MOSFET作為功率半導(dǎo)體的重要細(xì)分領(lǐng)域,其發(fā)展歷程總體跟隨功率半導(dǎo)體領(lǐng)域進(jìn)行發(fā)展。相對于發(fā)達(dá)國家,中國的功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展起步相對較晚,其發(fā)展大致可劃分為拓荒時(shí)代、本土聯(lián)盟、結(jié)構(gòu)性變革以及國產(chǎn)替代四個(gè)階段。從進(jìn)入21世紀(jì)以來,隨著一批國有化廠商的崛起,MOSFET行業(yè)從產(chǎn)能和技術(shù)的起步,逐步切入新能源汽車、電機(jī)電控等應(yīng)用領(lǐng)域。2017年以來,隨著一批本土功率半導(dǎo)體廠商的上市,MOSFET 產(chǎn)品的在碳化硅、氮化鎵新型領(lǐng)域的國產(chǎn)替代正穩(wěn)步推進(jìn)。

圖表6:中國MOSFET行業(yè)發(fā)展歷程

行業(yè)政策背景:政策密集出臺推進(jìn)行業(yè)技術(shù)攻堅(jiān)

我國對于MOSFET行業(yè)的政策指導(dǎo)主要依托于對集成電路和功率半導(dǎo)體器件的推動進(jìn)行。由于包括MOSFET在內(nèi)的功率半導(dǎo)體具有巨大的國內(nèi)和國際市場,且在產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)升級、節(jié)能減排等領(lǐng)域發(fā)揮著不可替代的重要作用,為了鼓勵國內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,打破國外企業(yè)在此領(lǐng)域的壟斷,增強(qiáng)科技創(chuàng)新能力,推進(jìn)節(jié)能降耗,建設(shè)資源節(jié)約型和環(huán)境友好型社會,國家各相關(guān)部門制訂了一系列政策以鼓勵、支持、促進(jìn)國內(nèi)功率半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展,詳細(xì)匯總情況如下:

圖表7:截至2023年底中國MOSFET行業(yè)建設(shè)重點(diǎn)政策匯總(一)

圖表8:截至2023年底中國MOSFET行業(yè)建設(shè)重點(diǎn)政策匯總(二)

圖表9:截至2023年底中國MOSFET行業(yè)建設(shè)重點(diǎn)政策匯總(三)

圖表10:截至2023年底中國MOSFET行業(yè)建設(shè)重點(diǎn)政策匯總(四)

圖表11:截至2023年底中國MOSFET行業(yè)建設(shè)重點(diǎn)政策匯總(五)

行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

1、MOSFET在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域占比較大

根據(jù)ICWISE的數(shù)據(jù),MOSFET在全球功率半導(dǎo)體的細(xì)分市場中占比最高,2021年市場規(guī)模占比超過40%; IGBT其次,占比達(dá)30%左右,而隨著新能源汽車、光伏等領(lǐng)域的飛速發(fā)展,MOSFET和IGBT的占比將進(jìn)一步提高,其中MOSFET由于高壓承受能力較強(qiáng),能耗小等特點(diǎn),未來應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⒊掷m(xù)拓展。

圖表12:全球功率半導(dǎo)體細(xì)分市場占比(單位:%)

注:尚未有2021年以后的數(shù)據(jù)披露。

2、平面型MOSFET占比最大

根據(jù)ICWISE的初步統(tǒng)計(jì),2022年,以新能源汽車為最主要的應(yīng)用領(lǐng)域,在市場對高壓MOSFET需求的驅(qū)動下,平面型及溝槽型MOSFET的市場需求持續(xù)增長,其中,平面型MOSFET在市場中占比最大,接近45%。

圖表13:2022年不同結(jié)構(gòu)MOSFET的市場占比(單位:%)

3、2022年市場規(guī)模突破50億美元

根據(jù)ICWISE的數(shù)據(jù),近年來,電子信息產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展為MOSFET產(chǎn)品帶來了廣闊的應(yīng)用前景,隨著功率半導(dǎo)體新興應(yīng)用領(lǐng)域的拓展,MOSFST的下游需求將持續(xù)增長,2022年中國MOSFET行業(yè)的市場規(guī)模將突破50億美元,初步統(tǒng)計(jì),2023年將接近57億美元。

圖表14:2019-2023年中國MOSFET市場規(guī)模變化(單位:億美元)

行業(yè)競爭格局

1、區(qū)域競爭:江蘇省產(chǎn)業(yè)布局最為完善

從我國MOSFET上市企業(yè)區(qū)域分布情況來看,MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)僅在我國經(jīng)濟(jì)以及科技水平較為發(fā)達(dá)的地區(qū)存在較為密集的布局,這表明MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展的構(gòu)建需要大量的資金與技術(shù)支持,具體來看,上市公司的布局區(qū)域主要以江蘇、廣東、上海為主,其中江蘇省的布局最為完善。

圖表15:2023年中國MOSFET產(chǎn)業(yè)上市公司區(qū)域熱力圖(按所屬地)

2、企業(yè)競爭:行業(yè)代表性廠商包括士蘭微、揚(yáng)杰科技、華潤微

MOSFET作為半導(dǎo)體功率器件中占比最大的細(xì)分種類,各功率器件領(lǐng)先廠商均涉及MOSFET產(chǎn)品的研發(fā)生產(chǎn),在MOSFET產(chǎn)品過于細(xì)分、尚未有權(quán)威榜單公布,因此前瞻選擇通過功率器件廠商排名反映企業(yè)在MOSFET領(lǐng)域的企業(yè)競爭情況。2023年7月20日-21日,第十七屆中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會半導(dǎo)體分立器件年會暨2023年中國半導(dǎo)體器件技術(shù)創(chuàng)新及產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇于杭州蕭山舉行。會上,中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會公布了2022年中國半導(dǎo)體行業(yè)功率器件十強(qiáng)企業(yè)名單,其中,士蘭微、揚(yáng)杰科技、華潤微等知名上市廠商位列其中。

圖表16:2022年中國半導(dǎo)體行業(yè)功率器件十強(qiáng)

行業(yè)發(fā)展前景及趨勢預(yù)測

1、國產(chǎn)化替代為行業(yè)發(fā)展的核心主線

當(dāng)前,在下游應(yīng)用以及外部環(huán)境的共同作用下,MOSFET行業(yè)的國產(chǎn)化替代將成為行業(yè)發(fā)展的核心主線。具體來看,MOSFET行業(yè)未來的發(fā)展趨勢總結(jié)如下:

圖表17:MOSFET行業(yè)發(fā)展趨勢

2、車用MOSFET成為支撐行業(yè)發(fā)展的中堅(jiān)力量

據(jù)中國汽車工業(yè)協(xié)會數(shù)據(jù),2023年中國新能源汽車總產(chǎn)量將從2022年705.8萬輛增長到940萬輛,年產(chǎn)量大增33%,汽車電子需求旺盛,MOSFET作為汽車功率器件中最為重要的組成部分,亦將迎來廣闊的應(yīng)用空間。根據(jù)ICWISE的數(shù)據(jù),車用MOSFET的增速將在未來中短期內(nèi)總體高于行業(yè)整體的增速,成為支撐MOSFET行業(yè)的中堅(jiān)力量,預(yù)計(jì)到2026年,車用MOSFET在MOSFET領(lǐng)域的占比將升至34%。

圖表18:2026年MOSFET細(xì)分市場應(yīng)用占比預(yù)測(單位:%)

3、2029年中國MOSFET市場規(guī)模預(yù)計(jì)將超過80億美元

在我國“新基建”和能源革命的背景下,MOSFET行業(yè)迎來了較為廣闊的應(yīng)用空間,與此同時(shí),MOSFET領(lǐng)域的國產(chǎn)替代趨勢較為明確,多因素疊加下將促進(jìn)中國MOSFET行業(yè)規(guī)模穩(wěn)步增長,前瞻初步預(yù)計(jì)2029年中國MOSFET行業(yè)市場規(guī)模將突破80億美元。

圖表19:2024-2029年中國MOSFET行業(yè)市場規(guī)模預(yù)測(單位:億美元)

更多本行業(yè)研究分析詳見前瞻產(chǎn)業(yè)研究院《全球及中國MOSFET(功率器件)行業(yè)發(fā)展前景與投資戰(zhàn)略規(guī)劃分析報(bào)告》。

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