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2024年中國(guó)MOSFET行業(yè)技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀分析 寬禁帶材料為核心發(fā)展方向【組圖】

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20 蔣金成 ? 2024-03-05 14:13:22  來(lái)源:前瞻產(chǎn)業(yè)研究院 E2954G0

行業(yè)主要上市公司:華潤(rùn)微(688396.SH);士蘭微(600460.SH);新潔能(605111.SH);揚(yáng)杰科技(300373.SZ)等

本文核心數(shù)據(jù):MOSFET行業(yè)研發(fā)投入情況

——MOSFET技術(shù)發(fā)展歷程

MOSFET的技術(shù)迭代歷程總體可以總結(jié)為技術(shù)革新、工藝進(jìn)步、材料升級(jí)三大部分,MOSFET在設(shè)計(jì)上經(jīng)歷了平面型、溝槽型、超級(jí)結(jié)等多個(gè)技術(shù)革新階段,每一次技術(shù)上的迭代伴隨著MOSFET生產(chǎn)工藝的革新以及元器件結(jié)構(gòu)的變化,近年來(lái)SiC、GaN等材料的應(yīng)用,使得寬禁帶材料成為了MOSFET發(fā)展的核心方向。

圖表1:MOSFET技術(shù)發(fā)展歷程

——不同類(lèi)別各有優(yōu)勢(shì)

MOSFET是一種全控制型半導(dǎo)體功率分立器件,通過(guò)柵極電壓的變化來(lái)控制輸出電流的大小,并實(shí)現(xiàn)開(kāi)通和關(guān)斷。常用產(chǎn)品種類(lèi)較多,按載流子類(lèi)型可分為N型和P型MOSFET兩大類(lèi)。按溝道形成方式可分為增強(qiáng)型和耗盡型MOSFET兩種,增強(qiáng)型MOSFET是主要產(chǎn)品類(lèi)型。具有輸入阻抗大、導(dǎo)通電阻小、功耗低、漏電小、工作頻率高,工藝基本成熟,成本低的特點(diǎn)。MOSFET應(yīng)用領(lǐng)域非常廣,主要使用在電源和驅(qū)動(dòng)控制兩類(lèi)電子產(chǎn)品中。

當(dāng)前,按照溝道結(jié)構(gòu)劃分,可以將目前的MOSFET功率器件分為平面型、溝槽型和超結(jié)型三類(lèi),其相關(guān)特征具體如下:

圖表2:MOSFET按照溝道結(jié)構(gòu)的分類(lèi)

——行業(yè)整體研發(fā)投入規(guī)模及力度較大

從行業(yè)整體的研發(fā)投入情況來(lái)看,2018-2022年期間,中國(guó)MOSFET行業(yè)整體研發(fā)投入規(guī)模呈逐年上升的趨勢(shì),研發(fā)投入強(qiáng)度呈現(xiàn)先有所下滑后企穩(wěn)的趨勢(shì)。2022年,中國(guó)MOSFET行業(yè)整體研發(fā)投入為260.77億元,研發(fā)投入強(qiáng)度為9.9%??傮w來(lái)看,我國(guó)MOSFET行業(yè)研發(fā)投入力度較大。

圖表3:2018-2023年中國(guó)MOSFET行業(yè)整體研發(fā)投入規(guī)模及力度(單位:億元,%)

注:1)研發(fā)投入規(guī)模為MOSFET行業(yè)中企業(yè)研發(fā)投入的總和;2)研發(fā)投入強(qiáng)度為研發(fā)投入規(guī)模占營(yíng)業(yè)收入的比值;3)MOSFET行業(yè)為前瞻針對(duì)企業(yè)主營(yíng)業(yè)務(wù)篩選出的上市企業(yè)樣本,樣本中共包括37個(gè)上市企業(yè),特此說(shuō)明。

——行業(yè)代表性廠商技術(shù)進(jìn)展

從我國(guó)MOSFET行業(yè)代表性廠商的技術(shù)進(jìn)展情況來(lái)看,廠商多聚焦于第三代半導(dǎo)體的研發(fā),采用SiC、GaN等材料進(jìn)行新系列的產(chǎn)品研發(fā),除此之外,以斯達(dá)半導(dǎo)為代表的廠商亦聚焦于車(chē)用MOSFET領(lǐng)域進(jìn)行研發(fā)與生產(chǎn)。

圖表4:2022-2023年中國(guó)MOSFET行業(yè)代表性廠商技術(shù)進(jìn)展(一)

圖表5:2022-2023年中國(guó)MOSFET行業(yè)代表性廠商技術(shù)進(jìn)展(二)

——MOSFET行業(yè)技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

結(jié)合當(dāng)前MOSFET行業(yè)的技術(shù)進(jìn)展以及產(chǎn)品發(fā)展路線,可以得知以SiC MOSFET為代表的寬禁帶半導(dǎo)體將成為行業(yè)的核心發(fā)展方向,對(duì)MOSFET行業(yè)的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)總結(jié)如下:

圖表6:MOSFET行業(yè)技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

更多本行業(yè)研究分析詳見(jiàn)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院《全球及中國(guó)MOSFET(功率器件)行業(yè)發(fā)展前景與投資戰(zhàn)略規(guī)劃分析報(bào)告》。

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2024-2029年全球及中國(guó)MOSFET(功率器件)行業(yè)發(fā)展前景與投資戰(zhàn)略規(guī)劃分析報(bào)告
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作者 蔣金成
前瞻產(chǎn)業(yè)研究院研究員
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