2024年全球第三代半導(dǎo)體材料市場競爭格局分析 市場競爭愈發(fā)激烈【組圖】
行業(yè)主要上市公司:華潤微(688396);三安光電(600703);士蘭微(600460);斯達半導(dǎo)(603290);天岳先進(688234)等
本文核心數(shù)據(jù):碳化硅、氮化鎵市場競爭格局
1、全球第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)企業(yè)競爭格局
——碳化硅行業(yè)全球企業(yè)競爭格局
(1)襯底
根據(jù)Yole的數(shù)據(jù),2022年全球碳化硅襯底市場中,美國Wolfspeed、美國II-VI和日本Rohm(收購德國SICrystal)三家企業(yè)合計占據(jù)全球約72%的市場份額。中國公司天科合達、天岳先進努力追趕,2022年導(dǎo)電型襯底合計實現(xiàn)營收1.04億美元,合計占比15%,同比+5pct。
(2)外延
高品質(zhì)的碳化硅外延晶片生長受到外延生長過程中使用的CVD外延爐、襯底等上游設(shè)備及材料的影響。國際上已經(jīng)商業(yè)化量產(chǎn)的SiC-CVD設(shè)備有意大利LPE、德國Axitron和日本NuFlare產(chǎn)品,這三家公司也占據(jù)了國內(nèi)市場。
——氮化鎵行業(yè)全球企業(yè)競爭格局
射頻元器件市場是氮化鎵的主要應(yīng)用領(lǐng)域。從該市場的競爭情況來看,全球氮化鎵主要創(chuàng)新主體的龍頭主要集中于日本。氮化鎵產(chǎn)業(yè)國外重點企業(yè)包括日本住友、美國科銳、德國英飛凌、韓國LG、三星等,中國企業(yè)代表有,晶元光電、三安光電、臺積電、華燦光電等,其中,GaN射頻器件襯底主要采用SiC襯底,而科銳擁有最強的實力,在射頻應(yīng)用的GaNHEMT、尤其是GaN-on-SiC技術(shù)斱面,該公司處于領(lǐng)先地位,遠遠領(lǐng)先日系廠商住友電工和富士通;日本住友全球率先量產(chǎn)氮化鎵襯底,是全球氮化鎵射頻器件主要供應(yīng)商,同時也是華為GaN射頻器件主要供應(yīng)商之一。
2、全球第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)區(qū)域競爭格局
——碳化硅行業(yè)全球區(qū)域競爭格局
從地區(qū)市場情況來看,亞太地區(qū)是最大的SiC地區(qū)市場。中國、日本、韓國和印度新能源汽車銷量的高速增長,使得亞太區(qū)域成為全球SiC的主導(dǎo)市場。從企業(yè)來看,美國、歐洲和日本企業(yè)為SiC整個行業(yè)的領(lǐng)先者,國內(nèi)廠商具備加速替代趨勢。
——氮化鎵行業(yè)全球區(qū)域競爭格局
目前,全球氮化鎵產(chǎn)業(yè)主要集中在美國、日本、歐洲和中國等國家和地區(qū)。其中,美國在氮化鎵襯底材料和外延片生長技術(shù)方面處于領(lǐng)先地位,日本在氮化鎵器件設(shè)計和封裝測試方面具有較強實力,歐洲在氮化鎵應(yīng)用領(lǐng)域的研究較為深入,而中國則在氮化鎵全產(chǎn)業(yè)鏈布局上取得了顯著進展。據(jù)大西洋調(diào)研公司數(shù)據(jù),GaN方面,北美是最大的市場,2022年占比為37%左右;而亞太地區(qū)GaN增長最快,2022-2030年將保持約24.3%的復(fù)合年增長率。
3、全球第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)競爭趨勢分析
當(dāng)前全球第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)企業(yè)競爭趨勢主要為加速產(chǎn)能擴張、技術(shù)升級和產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合,從區(qū)域競爭來看,在多國采取巨額投資吸引半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)回流的背景下,區(qū)域競爭逆全球化趨勢或?qū)⒓觿 ?/p>
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本報告前瞻性、適時性地對第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)的發(fā)展背景、供需情況、市場規(guī)模、競爭格局等行業(yè)現(xiàn)狀進行分析,并結(jié)合多年來第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展軌跡及實踐經(jīng)驗,對...
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