2024年全球第三代半導體材料市場現(xiàn)狀分析 技術和市場規(guī)模均保持高速發(fā)展【組圖】

行業(yè)主要上市公司：華潤微(688396);三安光電(600703);士蘭微(600460);斯達半導(603290);天岳先進(688234)等

本文核心數(shù)據(jù)：市場規(guī)模，滲透率，市場預測

1、全球第三代半導體材料行業(yè)發(fā)展環(huán)境

第三代半導體材料引發(fā)全球矚目，并成為半導體技術研究前沿和產(chǎn)業(yè)競爭焦點，美、日、歐等國都在積極進行戰(zhàn)略部署。主要國家政府的部署情況如下：

2、全球第三代半導體材料行業(yè)技術進展

——碳化硅：8英寸SiC晶圓開始商業(yè)化量產(chǎn)

2022年4月Wolfspeed莫霍克谷工廠8英寸SiC襯底正式投產(chǎn)，9月又宣布再次投資13億美元，在北卡羅來納州建設8英寸SiC襯底工廠;Onsemi 8英寸SiC晶圓襯底樣品面世,預計在2024年實現(xiàn)樣品認證，2025年實現(xiàn)規(guī)模出貨;Soitec發(fā)布首款8英寸SiC襯底產(chǎn)品;Sumitomo Metal子公司Sicoxs開建8英寸SiC復合襯底產(chǎn)線。此外，SiC外延供應商Showa Denko宣布8英寸SiC外延片樣品開始供貨。晶圓代工領域除漢磊、X-Fab外，韓國DB HiTek和聯(lián)電也在加快8英寸晶圓制造布局。

——氮化鎵：制備出6英寸GaN單晶

Toyoda Gosei與大阪大學合作，采用鈉助溶劑液相法，在藍寶石襯底上生長出高質量籽晶，然后再經(jīng)過HVPE法生長出6英寸GaN單晶。GaN襯底激光剝離技術取得進展，包括諾貝爾物理學獎獲得者天野浩在內(nèi)的日本研究團隊發(fā)表GaN襯底激光減薄新技術，通過背面激光照射法來剝離器件層，最大幅度減少GaN襯底的消耗;該技術可在器件制造之后開展，將GaN襯底生產(chǎn)效率提升3倍，同時省去襯底拋光工藝，有助于幫助降低GaN晶圓制造成本，也有望應用于 SiC單晶切割。韓國IVworks與美國Applied Materials合作，利用MBE方法制備適用1200V的6英寸和8英寸GaN外延片，并通過混合 MBE設備監(jiān)測GaN薄膜層的厚度，以此提高產(chǎn)量。

3、全球第三代半導體材料行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

——市場規(guī)模

目前，第三代半導體材料研發(fā)較為成熟的材料有SiC和GaN，ZnO、金剛石、氮化鋁等材料的研究則尚屬于起步階段。從SiC和GaN的整體市場規(guī)模來看，2018-2022年，全球SiC和GaN材料的市場規(guī)模逐年增長。2022年，綜合Yole、IHS的數(shù)據(jù)顯示，全球SiC和GaN的整體市場規(guī)模達36.1億美元，較2021年增長了49.42%。經(jīng)初步估計，2023年全球SiC和GaN的整體市場規(guī)?；蜻_到43億美元。

——滲透率

整體來看，目前第三代半導體的發(fā)展已進入快速成長期，根據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，第三代半導體功率器件(含SiC和GaN)2022年占整體半導體功率器件市場的比例為約5%-6.5%%。

4、市場預測：到2029年市場規(guī)模可達218億美元

隨著5G、新能源汽車、國防軍事應用的增加，全球第三代半導體材料市場在未來五年將保持較高增速增長。綜合Yole等公司數(shù)據(jù)，CASA預計到2026年SiC電力電子市場規(guī)模將達48億美元，GaN電力電子器件市場規(guī)模將超過20億美元，合計規(guī)模將超92億美元，2029年市場可達178億美元以上;綜合Yole及Trendforce數(shù)據(jù)，GaN射頻器件及模組市場未來幾年將保持18%的增速，到2026年市場規(guī)模約為24億美元，按此增速到2029年規(guī)?？蛇_39億美元，第三代半導體材料總體規(guī)?？蛇_218億美元。

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