2024年全球第三代半導(dǎo)體材料市場(chǎng)現(xiàn)狀分析 技術(shù)和市場(chǎng)規(guī)模均保持高速發(fā)展【組圖】

行業(yè)主要上市公司：華潤(rùn)微(688396);三安光電(600703);士蘭微(600460);斯達(dá)半導(dǎo)(603290);天岳先進(jìn)(688234)等

本文核心數(shù)據(jù)：市場(chǎng)規(guī)模，滲透率，市場(chǎng)預(yù)測(cè)

1、全球第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展環(huán)境

第三代半導(dǎo)體材料引發(fā)全球矚目，并成為半導(dǎo)體技術(shù)研究前沿和產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)，美、日、歐等國(guó)都在積極進(jìn)行戰(zhàn)略部署。主要國(guó)家政府的部署情況如下：

2、全球第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)技術(shù)進(jìn)展

——碳化硅：8英寸SiC晶圓開始商業(yè)化量產(chǎn)

2022年4月Wolfspeed莫霍克谷工廠8英寸SiC襯底正式投產(chǎn)，9月又宣布再次投資13億美元，在北卡羅來納州建設(shè)8英寸SiC襯底工廠;Onsemi 8英寸SiC晶圓襯底樣品面世,預(yù)計(jì)在2024年實(shí)現(xiàn)樣品認(rèn)證，2025年實(shí)現(xiàn)規(guī)模出貨;Soitec發(fā)布首款8英寸SiC襯底產(chǎn)品;Sumitomo Metal子公司Sicoxs開建8英寸SiC復(fù)合襯底產(chǎn)線。此外，SiC外延供應(yīng)商Showa Denko宣布8英寸SiC外延片樣品開始供貨。晶圓代工領(lǐng)域除漢磊、X-Fab外，韓國(guó)DB HiTek和聯(lián)電也在加快8英寸晶圓制造布局。

——氮化鎵：制備出6英寸GaN單晶

Toyoda Gosei與大阪大學(xué)合作，采用鈉助溶劑液相法，在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)出高質(zhì)量籽晶，然后再經(jīng)過HVPE法生長(zhǎng)出6英寸GaN單晶。GaN襯底激光剝離技術(shù)取得進(jìn)展，包括諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)獲得者天野浩在內(nèi)的日本研究團(tuán)隊(duì)發(fā)表GaN襯底激光減薄新技術(shù)，通過背面激光照射法來剝離器件層，最大幅度減少GaN襯底的消耗;該技術(shù)可在器件制造之后開展，將GaN襯底生產(chǎn)效率提升3倍，同時(shí)省去襯底拋光工藝，有助于幫助降低GaN晶圓制造成本，也有望應(yīng)用于 SiC單晶切割。韓國(guó)IVworks與美國(guó)Applied Materials合作，利用MBE方法制備適用1200V的6英寸和8英寸GaN外延片，并通過混合 MBE設(shè)備監(jiān)測(cè)GaN薄膜層的厚度，以此提高產(chǎn)量。

3、全球第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

——市場(chǎng)規(guī)模

目前，第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)較為成熟的材料有SiC和GaN，ZnO、金剛石、氮化鋁等材料的研究則尚屬于起步階段。從SiC和GaN的整體市場(chǎng)規(guī)模來看，2018-2022年，全球SiC和GaN材料的市場(chǎng)規(guī)模逐年增長(zhǎng)。2022年，綜合Yole、IHS的數(shù)據(jù)顯示，全球SiC和GaN的整體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)36.1億美元，較2021年增長(zhǎng)了49.42%。經(jīng)初步估計(jì)，2023年全球SiC和GaN的整體市場(chǎng)規(guī)?；蜻_(dá)到43億美元。

——滲透率

整體來看，目前第三代半導(dǎo)體的發(fā)展已進(jìn)入快速成長(zhǎng)期，根據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，第三代半導(dǎo)體功率器件(含SiC和GaN)2022年占整體半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)的比例為約5%-6.5%%。

4、市場(chǎng)預(yù)測(cè)：到2029年市場(chǎng)規(guī)?？蛇_(dá)218億美元

隨著5G、新能源汽車、國(guó)防軍事應(yīng)用的增加，全球第三代半導(dǎo)體材料市場(chǎng)在未來五年將保持較高增速增長(zhǎng)。綜合Yole等公司數(shù)據(jù)，CASA預(yù)計(jì)到2026年SiC電力電子市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)48億美元，GaN電力電子器件市場(chǎng)規(guī)模將超過20億美元，合計(jì)規(guī)模將超92億美元，2029年市場(chǎng)可達(dá)178億美元以上;綜合Yole及Trendforce數(shù)據(jù)，GaN射頻器件及模組市場(chǎng)未來幾年將保持18%的增速，到2026年市場(chǎng)規(guī)模約為24億美元，按此增速到2029年規(guī)?？蛇_(dá)39億美元，第三代半導(dǎo)體材料總體規(guī)?？蛇_(dá)218億美元。

更多本行業(yè)研究分析詳見前瞻產(chǎn)業(yè)研究院《中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展前景預(yù)測(cè)與投資戰(zhàn)略規(guī)劃分析報(bào)告》。

同時(shí)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院還提供產(chǎn)業(yè)大數(shù)據(jù)、產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、園區(qū)規(guī)劃、產(chǎn)業(yè)招商、產(chǎn)業(yè)圖譜、智慧招商系統(tǒng)、行業(yè)地位證明、IPO咨詢/募投可研、專精特新小巨人申報(bào)、十五五規(guī)劃等解決方案。如需轉(zhuǎn)載引用本篇文章內(nèi)容，請(qǐng)注明資料來源（前瞻產(chǎn)業(yè)研究院）。

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