2024年全球第三代半導體材料市場現(xiàn)狀分析 技術(shù)和市場規(guī)模均保持高速發(fā)展【組圖】
行業(yè)主要上市公司:華潤微(688396);三安光電(600703);士蘭微(600460);斯達半導(603290);天岳先進(688234)等
本文核心數(shù)據(jù):市場規(guī)模,滲透率,市場預(yù)測
1、全球第三代半導體材料行業(yè)發(fā)展環(huán)境
第三代半導體材料引發(fā)全球矚目,并成為半導體技術(shù)研究前沿和產(chǎn)業(yè)競爭焦點,美、日、歐等國都在積極進行戰(zhàn)略部署。主要國家政府的部署情況如下:
2、全球第三代半導體材料行業(yè)技術(shù)進展
——碳化硅:8英寸SiC晶圓開始商業(yè)化量產(chǎn)
2022年4月Wolfspeed莫霍克谷工廠8英寸SiC襯底正式投產(chǎn),9月又宣布再次投資13億美元,在北卡羅來納州建設(shè)8英寸SiC襯底工廠;Onsemi 8英寸SiC晶圓襯底樣品面世,預(yù)計在2024年實現(xiàn)樣品認證,2025年實現(xiàn)規(guī)模出貨;Soitec發(fā)布首款8英寸SiC襯底產(chǎn)品;Sumitomo Metal子公司Sicoxs開建8英寸SiC復合襯底產(chǎn)線。此外,SiC外延供應(yīng)商Showa Denko宣布8英寸SiC外延片樣品開始供貨。晶圓代工領(lǐng)域除漢磊、X-Fab外,韓國DB HiTek和聯(lián)電也在加快8英寸晶圓制造布局。
——氮化鎵:制備出6英寸GaN單晶
Toyoda Gosei與大阪大學合作,采用鈉助溶劑液相法,在藍寶石襯底上生長出高質(zhì)量籽晶,然后再經(jīng)過HVPE法生長出6英寸GaN單晶。GaN襯底激光剝離技術(shù)取得進展,包括諾貝爾物理學獎獲得者天野浩在內(nèi)的日本研究團隊發(fā)表GaN襯底激光減薄新技術(shù),通過背面激光照射法來剝離器件層,最大幅度減少GaN襯底的消耗;該技術(shù)可在器件制造之后開展,將GaN襯底生產(chǎn)效率提升3倍,同時省去襯底拋光工藝,有助于幫助降低GaN晶圓制造成本,也有望應(yīng)用于 SiC單晶切割。韓國IVworks與美國Applied Materials合作,利用MBE方法制備適用1200V的6英寸和8英寸GaN外延片,并通過混合 MBE設(shè)備監(jiān)測GaN薄膜層的厚度,以此提高產(chǎn)量。
3、全球第三代半導體材料行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
——市場規(guī)模
目前,第三代半導體材料研發(fā)較為成熟的材料有SiC和GaN,ZnO、金剛石、氮化鋁等材料的研究則尚屬于起步階段。從SiC和GaN的整體市場規(guī)模來看,2018-2022年,全球SiC和GaN材料的市場規(guī)模逐年增長。2022年,綜合Yole、IHS的數(shù)據(jù)顯示,全球SiC和GaN的整體市場規(guī)模達36.1億美元,較2021年增長了49.42%。經(jīng)初步估計,2023年全球SiC和GaN的整體市場規(guī)?;蜻_到43億美元。
——滲透率
整體來看,目前第三代半導體的發(fā)展已進入快速成長期,根據(jù)Yole的數(shù)據(jù),第三代半導體功率器件(含SiC和GaN)2022年占整體半導體功率器件市場的比例為約5%-6.5%%。
4、市場預(yù)測:到2029年市場規(guī)模可達218億美元
隨著5G、新能源汽車、國防軍事應(yīng)用的增加,全球第三代半導體材料市場在未來五年將保持較高增速增長。綜合Yole等公司數(shù)據(jù),CASA預(yù)計到2026年SiC電力電子市場規(guī)模將達48億美元,GaN電力電子器件市場規(guī)模將超過20億美元,合計規(guī)模將超92億美元,2029年市場可達178億美元以上;綜合Yole及Trendforce數(shù)據(jù),GaN射頻器件及模組市場未來幾年將保持18%的增速,到2026年市場規(guī)模約為24億美元,按此增速到2029年規(guī)??蛇_39億美元,第三代半導體材料總體規(guī)模可達218億美元。
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本報告前瞻性、適時性地對第三代半導體材料行業(yè)的發(fā)展背景、供需情況、市場規(guī)模、競爭格局等行業(yè)現(xiàn)狀進行分析,并結(jié)合多年來第三代半導體材料行業(yè)發(fā)展軌跡及實踐經(jīng)驗,對...
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