2024年中國第三代半導(dǎo)體材料細(xì)分市場分析 GaN應(yīng)用場景將進(jìn)一步拓展【組圖】

行業(yè)主要上市公司：華潤微(688396);三安光電(600703);士蘭微(600460);斯達(dá)半導(dǎo)(603290);天岳先進(jìn)(688234)等

本文核心數(shù)據(jù)：氮化鎵產(chǎn)能

1、第三代半導(dǎo)體材料分類

第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石，目前已實(shí)現(xiàn)商業(yè)化應(yīng)用的主要為碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)兩類，具體用途如下：

2、氮化鎵定義

——定義

氮化鎵(GaN)是一種寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度為3.4eV，與第一代、第二代半導(dǎo)體材料相比，它具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點(diǎn)。

——應(yīng)用領(lǐng)域

氮化鎵器件在5G通信、新能源汽車、消費(fèi)電子等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。在5G通信領(lǐng)域，氮化鎵功率放大器(PA)能夠顯著提高信號傳輸效率和系統(tǒng)性能;在新能源汽車領(lǐng)域，氮化鎵充電器和逆變器能夠提高充電速度和驅(qū)動效率;在消費(fèi)電子領(lǐng)域，氮化鎵LED具有高效、節(jié)能、環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)，已廣泛應(yīng)用于照明、顯示等領(lǐng)域。

3、氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)梳理

盡管碳化硅被更多地作為襯底材料(相較于氮化鎵)，國內(nèi)仍有從事氮化鎵單晶生長的企業(yè)，主要有蘇州納維、東莞中鎵、上海鎵特和芯元基等;從事氮化鎵外延片的國內(nèi)廠商主要有三安光電、賽微電子、海陸重工、晶湛半導(dǎo)體、江蘇能華、英諾賽科等;從事氮化鎵器件制造的廠商主要有三安光電、聞泰科技、賽微電子、聚燦光電、乾照光電等。

4、商業(yè)化進(jìn)程：國產(chǎn)GaN射頻產(chǎn)品加快向民用市場滲透

2022年，國內(nèi)12英寸Si基GaN HEMT外延技術(shù)獲得突破，蘇州納維、中鎵半導(dǎo)體持續(xù)開展GaN襯底研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，8英寸Si基GaN產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，國產(chǎn)GaN射頻產(chǎn)品加快向民用市場滲透。

5、市場現(xiàn)狀：外延能高速增長

2022年，GaN產(chǎn)能增加31%。2022年，國內(nèi)GaN外延產(chǎn)能達(dá)到100.2萬片/年(折合4英寸)，相較于2021年增加40.7%。初步統(tǒng)計(jì)2023年產(chǎn)能在125萬片/年左右;芯片/器件2022年產(chǎn)能達(dá)到76萬片/年，相較于2021年增加31%，初步統(tǒng)計(jì)2023年產(chǎn)能達(dá)82萬片/年。

6、市場趨勢：應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⑦M(jìn)一步拓展

未來，隨著新材料、新工藝的不斷涌現(xiàn)和技術(shù)的不斷升級迭代，氮化鎵行業(yè)將實(shí)現(xiàn)更高水平的技術(shù)創(chuàng)新，應(yīng)用場景將進(jìn)一步拓展。

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