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2024年中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料細(xì)分市場(chǎng)分析 國(guó)內(nèi)SiC產(chǎn)能高速增長(zhǎng),未來(lái)市場(chǎng)前景廣闊【組圖】

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20 寧凱亮 ? 2024-05-15 14:06:27  來(lái)源:前瞻產(chǎn)業(yè)研究院 E6591G0

行業(yè)主要上市公司:華潤(rùn)微(688396);三安光電(600703);士蘭微(600460);斯達(dá)半導(dǎo)(603290);天岳先進(jìn)(688234)等

本文核心數(shù)據(jù):碳化硅產(chǎn)能,市場(chǎng)規(guī)模

1、第三代半導(dǎo)體材料分類

第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石,目前已實(shí)現(xiàn)商業(yè)化應(yīng)用的主要為碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)兩類,具體用途如下:

圖表1:第三代半導(dǎo)體材料分類及其用途

2、碳化硅定義

——定義

碳化硅(英語(yǔ):silicon carbide),化學(xué)式SiC,俗稱金剛砂,寶石名稱鉆髓,為硅與碳相鍵結(jié)而成的陶瓷狀化合物,碳化硅在大自然以莫桑石這種稀罕的礦物的形式存在。

被譽(yù)為功率半導(dǎo)體皇冠上的明珠,因其優(yōu)異的材料特性,可以滿足功率電子技術(shù)對(duì)高溫、高功率、高壓、高頻及抗輻射等惡劣工作條件的新要求,是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域最有前景的材料之一。

圖表2:碳化硅(SiC)的特點(diǎn)

——制造流程

碳化硅(SiC)的制造流程從原料至最后的封裝,流程較為復(fù)雜。

其中,關(guān)于Sic單晶體制造,現(xiàn)在多數(shù)SiC單晶是在以Lely法為基礎(chǔ)的方法上獲得的,其基本過(guò)程是在石墨坩塌中心內(nèi)放置多孔石墨環(huán),在兩者間隙中放入Sic粉料。加熱時(shí)埔鍋外層溫度高,中心溫度低,夾層中的碳化硅升華分解,集散到低溫的堆據(jù)中心,凝結(jié)稱為碳化硅單晶體。

關(guān)于Si襯底的外延方法,即使用化學(xué)氣相沉積,獲得SiC單晶體沉底或摻雜后的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

圖表3:碳化硅(SiC)的制造流程

3、碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)梳理

從產(chǎn)業(yè)鏈主要參與企業(yè)來(lái)看,從事碳化硅襯底片的國(guó)內(nèi)廠商主要有天岳先進(jìn)、三安光電、天科合達(dá)、河北網(wǎng)光等;從事碳化硅外延生長(zhǎng)的廠商主要有瀚天天成和普興電子等;從事碳化硅功率器件的廠商較多,包括派恩杰、基本半導(dǎo)體、長(zhǎng)飛先進(jìn)、三安光電、長(zhǎng)電科技等。

圖表4:碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈全景圖譜

4、商業(yè)化進(jìn)程:多家企業(yè)宣布在8英寸上取得突破

通常情況下,晶圓尺寸越大,其單片面積就越大、邊緣浪費(fèi)更小,單位時(shí)間內(nèi)產(chǎn)出的襯底、外延更多,芯片的產(chǎn)能也就越大、單顆芯片成本也越低。目前,國(guó)內(nèi)SiC市場(chǎng)仍以6英寸為主,但往8英寸升級(jí)已經(jīng)成為共識(shí),2022年,國(guó)內(nèi)多家企業(yè)宣布在8英寸上取得突破:

圖表5:中國(guó)SiC商業(yè)化進(jìn)程

5、市場(chǎng)現(xiàn)狀:電動(dòng)汽車等應(yīng)用拉動(dòng)下,國(guó)內(nèi)SiC產(chǎn)能高速增長(zhǎng)

在電動(dòng)汽車等應(yīng)用拉動(dòng)下,國(guó)內(nèi)SiC產(chǎn)能高速增長(zhǎng)。2022年,SiC襯底產(chǎn)能達(dá)到94萬(wàn)片/年(折合6英寸),相較于2021年增加30.6%;外延產(chǎn)能達(dá)到84萬(wàn)片/年(折合6英寸),相較于2021年增加58.5%;芯片/器件產(chǎn)能達(dá)到96萬(wàn)片/年,相較于2021年增加62.7%。結(jié)合部分企業(yè)2023年年報(bào)情況,初步統(tǒng)計(jì)2023年SiC襯底、外延和芯片/器件產(chǎn)能分別為113萬(wàn)片/年、118萬(wàn)片/年和144萬(wàn)片/年。

圖表6:2020-2023年中國(guó)SiC產(chǎn)能(單位:萬(wàn)片/年)

6、市場(chǎng)趨勢(shì):碳化硅市場(chǎng)前景廣闊

未來(lái)我國(guó)SiC材料發(fā)展趨勢(shì)如下:

圖表7:SiC材料未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

更多本行業(yè)研究分析詳見前瞻產(chǎn)業(yè)研究院《中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展前景預(yù)測(cè)與投資戰(zhàn)略規(guī)劃分析報(bào)告》。

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2024-2029年中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展前景預(yù)測(cè)與投資戰(zhàn)略規(guī)劃分析報(bào)告
2024-2029年中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展前景預(yù)測(cè)與投資戰(zhàn)略規(guī)劃分析報(bào)告

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作者 寧凱亮
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