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邀請(qǐng)演講分立器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品;其中,MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關(guān)器件,相比于功率三極管、晶閘管等電流控制型開關(guān)器件,具有易于驅(qū)動(dòng)、開關(guān)速度快、損耗低等特點(diǎn)。
在分立器件發(fā)展過程中,20世紀(jì)50年代,功率二極管、功率三極管面世并應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng);20世紀(jì)60至70年代,晶閘管等半導(dǎo)體功率器件快速發(fā)展;20世紀(jì)70年代末,平面型功率MOSFET發(fā)展起來;20世紀(jì)80年代后期,溝槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世,半導(dǎo)體功率器件正式進(jìn)入電子應(yīng)用時(shí)代;20世紀(jì)90年代,超結(jié)MOSFET逐步出現(xiàn),打破傳統(tǒng)"硅限"以滿足大功率和高頻化的應(yīng)用需求;2008年,英飛凌(Infineon)率先推出屏蔽柵功率MOSFET,半導(dǎo)體功率器件的性能進(jìn)一步提升。
當(dāng)前半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)正在發(fā)生深刻的變革,其中新材料成為產(chǎn)業(yè)新的發(fā)展重心。以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等材料為代表的新材料半導(dǎo)體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等優(yōu)異的性能而受到行業(yè)關(guān)注,有望成為新型的半導(dǎo)體材料。SiC、GaN等半導(dǎo)體材料屬于新興領(lǐng)域,具有極強(qiáng)的應(yīng)用戰(zhàn)略性和前瞻性。目前美歐、日韓及臺(tái)灣等地區(qū)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)SiC、GaN等新材料半導(dǎo)體功率器件的量產(chǎn)。
對(duì)國內(nèi)市場(chǎng)而言,功率二極管、功率三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化,而MOSFET、IGBT等分立器件產(chǎn)品由于其技術(shù)及工藝的先進(jìn)性,還較大程度上依賴進(jìn)口,未來進(jìn)口替代空間巨大。不過,國內(nèi)行業(yè)內(nèi)企業(yè)通過多年的技術(shù)和資本積累,依托國家產(chǎn)業(yè)政策的重點(diǎn)扶持,也已開始布局新型半導(dǎo)體材料領(lǐng)域。
半導(dǎo)體分立器件是電力電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)之一,也是構(gòu)成電力電子變化裝置的核心器件之一,主要用于電力電子設(shè)備的整流、穩(wěn)壓、開關(guān)、混頻等,具有應(yīng)用范圍廣、用量大等特點(diǎn),在消費(fèi)電子、汽車電子、電子儀器儀表、工業(yè)及自動(dòng)控制、計(jì)算機(jī)及周邊設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)通訊等眾多國民經(jīng)濟(jì)領(lǐng)域均有廣泛的應(yīng)用。從細(xì)分市場(chǎng)來看,半導(dǎo)體分立器件受益于智能制造、電力改造、電子通訊升級(jí)、互聯(lián)網(wǎng)等普及的趨勢(shì),其市場(chǎng)也逐步向高端推進(jìn)。近年來,受益于國際電子制造產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)移,以及下游行業(yè)需求的拉動(dòng),我國半導(dǎo)體分立器件行業(yè)保持了較快的發(fā)展態(tài)勢(shì)。
據(jù)國家統(tǒng)計(jì)局規(guī)模以上工業(yè)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示,近幾年來,分立器件行業(yè)規(guī)模以上企業(yè)主營業(yè)務(wù)收入占半導(dǎo)體行業(yè)規(guī)模以上企業(yè)主營業(yè)務(wù)收入的比重維持在22%-25%之間。 據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示,2017年,我國半導(dǎo)體分立器件全年銷售規(guī)模已達(dá)2473.9億元,較2016年增長(zhǎng)10.60%。據(jù)前瞻測(cè)算,2018年全年,我國半導(dǎo)體分立器件行業(yè)銷售額達(dá)到2669.3億元。
下游市場(chǎng)需求直接拉動(dòng)了半導(dǎo)體分立器件的生產(chǎn)規(guī)模。改革開放以來,特別是進(jìn)入21世紀(jì)后,我國半導(dǎo)體分立器件行業(yè)內(nèi)企業(yè)不斷增加,分立器件的產(chǎn)量隨之攀升;2011年,我國半導(dǎo)體分立器件的整體生產(chǎn)規(guī)模為4134.1億只,至2017年增長(zhǎng)至7301.5億只,年均復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到9.94%。據(jù)前瞻測(cè)算,2018年全年,半導(dǎo)體分立器件行業(yè)生產(chǎn)規(guī)模達(dá)到7754.9億只。
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