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預(yù)見(jiàn)2020:《2020年中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全景圖譜》(附市場(chǎng)規(guī)模、應(yīng)用市場(chǎng)結(jié)構(gòu)、投資布局等)

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20 劉芬 ? 2020-09-10 11:00:41  來(lái)源:前瞻產(chǎn)業(yè)研究院 E139243G0

發(fā)展歷程——2016年為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)元年

第三代半導(dǎo)體指禁帶寬度大于2.2eV的半導(dǎo)體材料,也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段:第一階段是以硅(Si)、鍺(Ge)為代表的第一代半導(dǎo)體材料;第二階段是以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等化合物為代表;而以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、等寬帶半導(dǎo)體原料為主的第三代半導(dǎo)體材料,可以被廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、照明、新能源汽車、導(dǎo)彈、衛(wèi)星等各個(gè)領(lǐng)域,且具備眾多的優(yōu)良性能,可突破第一、二代半導(dǎo)體材料的發(fā)展瓶頸,隨著技術(shù)的發(fā)展有望全面取代第一、二代半導(dǎo)體材料。

我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展緣自2013年科技部863計(jì)劃,計(jì)劃將之列為戰(zhàn)略發(fā)展產(chǎn)業(yè)。2016年國(guó)務(wù)院國(guó)家新產(chǎn)業(yè)發(fā)展領(lǐng)導(dǎo)小組將其列為重點(diǎn)發(fā)展方向,除此之外,福建等27個(gè)地區(qū)陸續(xù)推出近30條第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相關(guān)政策,2016年為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)元年。

2019年,國(guó)家級(jí)戰(zhàn)略《長(zhǎng)江三角洲區(qū)域一體化發(fā)展規(guī)劃綱要》明確要求長(zhǎng)江三角洲區(qū)域加快培育布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。2020年,我國(guó)計(jì)劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),寫入正在制定中的“十四五”規(guī)劃,計(jì)劃在2021-2025年期間,在教育、科研、開(kāi)發(fā)、融資、應(yīng)用等各個(gè)方面,大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),以期實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨(dú)立自主。

圖表1:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程

對(duì)于第三代半導(dǎo)體的發(fā)展,國(guó)內(nèi)高度重視。2019年12月,國(guó)家級(jí)戰(zhàn)略《長(zhǎng)江三角洲區(qū)域一體化發(fā)展規(guī)劃綱要》明確要求加快培育布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),推動(dòng)制造業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。2020年7月,《新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》指出國(guó)家鼓勵(lì)的集成電路設(shè)計(jì)、裝備、材料、封裝、測(cè)試企業(yè)和軟件企業(yè),自獲利年度起,第一年至第二年免征企業(yè)所得稅,第三年至第五年按照25%的法定稅率減半征收企業(yè)所得稅。2020年,我國(guó)計(jì)劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),寫入正在制定中的“十四五”規(guī)劃。

圖表2:2016-2020年國(guó)家部委關(guān)于第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)政策

產(chǎn)業(yè)鏈——各環(huán)節(jié)均有較多企業(yè)參與

第三代半導(dǎo)體材料主要以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為主。碳化硅(SiC)生產(chǎn)過(guò)程分為SiC單晶生長(zhǎng)、外延層生長(zhǎng)及器件制造三大步驟,對(duì)應(yīng)的是產(chǎn)業(yè)鏈襯底、外延、器件與模組三大環(huán)節(jié)。

圖表3:Sic產(chǎn)業(yè)鏈及主要工序

GaN產(chǎn)業(yè)鏈按環(huán)節(jié)分為Si襯底(或GaN單晶襯底、SiC、藍(lán)寶石)、GaN材料外延、器件設(shè)計(jì)、器件制造、封測(cè)以及應(yīng)用。各個(gè)環(huán)節(jié)國(guó)內(nèi)均有企業(yè)涉足,如在射頻領(lǐng)域,SiC襯底生產(chǎn)商有天科合達(dá)、山東天岳等,GaN襯底有維微科技、科恒晶體、鎵鋁光電等公司。外延片涉足企業(yè)有晶湛半導(dǎo)體、聚能晶源、英諾賽科等。蘇州能訊、四川益豐電子、中科院蘇州納米所等公司則同時(shí)涉足多環(huán)節(jié),力圖形成全產(chǎn)業(yè)鏈公司。

圖表4:GaN產(chǎn)業(yè)鏈及參與公司

市場(chǎng)規(guī)模——產(chǎn)能、規(guī)模高速增長(zhǎng)

第三代半導(dǎo)體材料是5G時(shí)代的主要材料,與傳統(tǒng)的第一代、第二代半導(dǎo)體材料硅(Si)和砷化鎵(GaAs)相比,第三代半導(dǎo)體具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率大等獨(dú)特性能,使其在光電器件、電力電子、射頻微波器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力。

圖表5:第三代半導(dǎo)體材料器件構(gòu)成

在國(guó)家政策的大力支持下,國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)線陸續(xù)開(kāi)通,產(chǎn)能不斷增加。據(jù)CASA Research不完全統(tǒng)計(jì),2019年,國(guó)內(nèi)主要企業(yè)Si基GaN外延片(不含LED)折算6英寸產(chǎn)能約為20萬(wàn)片/年,Si基GaN器件(不含LED)折算6英寸產(chǎn)能約為19萬(wàn)片/年。SiC基GaN外延片折算4英寸產(chǎn)能約為10萬(wàn)片/年,SiC基GaN器件折算4英寸產(chǎn)能約為8萬(wàn)片/年。

SiC方面,國(guó)內(nèi)主要企業(yè)導(dǎo)電型SiC襯底折合4英寸產(chǎn)能約為50萬(wàn)片/年,半絕緣SiC襯底折合4英寸產(chǎn)能約為寸產(chǎn)能約為20萬(wàn)片/年;SiC外延片折算6英寸產(chǎn)能約為20萬(wàn)片/年。

圖表6:2019年國(guó)內(nèi)主要企業(yè)SiC、GaN產(chǎn)能(單位:萬(wàn)片/年)

2016-2019年我國(guó)SiC、GaN電力電子產(chǎn)業(yè)值持續(xù)提高。據(jù)CASA初步統(tǒng)計(jì),2019年,我國(guó)SiC、GaN電力子和微波射頻產(chǎn)值(供給)超過(guò)60億元。2019年我國(guó)SiC、GaN電力子產(chǎn)值規(guī)模達(dá)26億元,同比增長(zhǎng)84%。

圖表7:2016-2019年我國(guó)SiC、GaN電力電子產(chǎn)業(yè)值(單位:億元)

GaN微波射頻產(chǎn)值方面,2016年9月科技部立項(xiàng)國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃,旨在針對(duì)5G通信需求,建立開(kāi)放的工藝代工線,實(shí)現(xiàn)GaN器件與電路在通信系統(tǒng)的應(yīng)用,推動(dòng)我國(guó)第三代半導(dǎo)體在射頻功率領(lǐng)域的可持續(xù)發(fā)展。我國(guó)GaN微波射頻產(chǎn)值不斷增長(zhǎng),據(jù)CASA,2019年我國(guó)GaN微波射頻產(chǎn)值規(guī)模近38億元,同比增長(zhǎng)74%。

圖表8:2016-2019年我國(guó)GaN微波射頻產(chǎn)業(yè)值(單位:億元)

應(yīng)用市場(chǎng)——主要應(yīng)用消費(fèi)類電源和新能源汽車

從各應(yīng)用市場(chǎng)來(lái)看,中國(guó)SiC、GaN電力電子器件主要應(yīng)用于新能源汽車、消費(fèi)類電源和工商業(yè)電源應(yīng)用。在消費(fèi)電子方面,快充電源作為新應(yīng)用帶來(lái)較大的市場(chǎng)。新能源汽車方面,我國(guó)作為全球最大的新能源汽車市場(chǎng),隨著下游特斯拉開(kāi)始大量推進(jìn)SiC解決方案,國(guó)內(nèi)的廠商也快速跟進(jìn),以比亞迪為代表的整車廠商開(kāi)始全方位布局,推動(dòng)第三半導(dǎo)體器件在汽車領(lǐng)域的發(fā)展。

圖表9:2019年中國(guó)SiC、GaN電力電子器件應(yīng)用市場(chǎng)結(jié)構(gòu)(單位:%)

投資——投資熱度居高不下

2019年,國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資熱度居高不下。據(jù)CASA,SiC投資14起,涉及金額220.8億元;GaN投資3起,涉及金額45億元。全年已披露的投資擴(kuò)產(chǎn)金額達(dá)到265.8億元(不含光電),較2018年同比增長(zhǎng)60%。

圖表10:2017-2019年SiC和GaN投資情況(單位:億元)

具體看國(guó)內(nèi)部分重點(diǎn)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域投資項(xiàng)目,2020年7月,長(zhǎng)沙三安光電第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目總投資160億元,主要建設(shè)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的襯底(碳化硅)、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后將形成超百億元的產(chǎn)業(yè)規(guī)模,并帶動(dòng)上下游配套產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值預(yù)計(jì)逾千億元。

2020年6月,深圳市同力實(shí)業(yè)有限公司坪山半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園(多彩)項(xiàng)目預(yù)計(jì)投資50億元,園區(qū)將集聚第三代半導(dǎo)體上下游產(chǎn)業(yè)鏈,形成集聚發(fā)展態(tài)勢(shì)。坪山集成電路及第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集聚已經(jīng)漸成規(guī)模,集聚了中芯國(guó)際、比亞迪(中央研究院)、昂納科技、金泰克、基本半導(dǎo)體、拉普拉斯等重點(diǎn)企業(yè)。

圖表11:2019-2020年國(guó)內(nèi)部分重點(diǎn)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域投資項(xiàng)目(單位:億元)

區(qū)域方面,我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)初步形成了京津冀魯、長(zhǎng)三角、珠三角、閩三角、中西部等五大重點(diǎn)區(qū)域。據(jù)CASA,2015年下半年-2019年底期間,長(zhǎng)三角區(qū)域第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)具備集聚優(yōu)勢(shì),投資金額較多,達(dá)到715億元,其中2019年投資總額超過(guò)107億元,占比達(dá)到43%,其次為中西部區(qū)域,占比達(dá)25%。

圖表12:2015年下半年-2019年各區(qū)域項(xiàng)目投資分布情況(單位:%)

我國(guó)第三代半導(dǎo)體發(fā)展雖然較晚,但是發(fā)展速度較快。當(dāng)前第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策呈現(xiàn)利好趨勢(shì)、產(chǎn)業(yè)鏈日趨完善、眾多企業(yè)積極參與,國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)線、產(chǎn)能不斷增加,市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)增加,應(yīng)用市場(chǎng)不斷拓展,投資熱度持續(xù)高漲。整體而言,對(duì)于2020年的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展,總體趨勢(shì)向好。

以上數(shù)據(jù)來(lái)源于前瞻產(chǎn)業(yè)研究院《中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略規(guī)劃和企業(yè)戰(zhàn)略咨詢報(bào)告》,同時(shí)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院提供產(chǎn)業(yè)大數(shù)據(jù)、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、產(chǎn)業(yè)申報(bào)、產(chǎn)業(yè)園區(qū)規(guī)劃、產(chǎn)業(yè)招商引資等解決方案。

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作者 劉芬
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