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2023年全球存儲(chǔ)芯片行業(yè)細(xì)分市場(chǎng)分析——DRAM(附市場(chǎng)規(guī)模、競(jìng)爭(zhēng)格局、趨勢(shì)前景等)

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20 盧敏 ? 2023-09-01 12:49:26  來源:前瞻產(chǎn)業(yè)研究院 E13082G0

行業(yè)主要上市公司:中芯國際(688981)、兆易創(chuàng)新(603986)、紫光國微(002049)、普冉股份(688766)、聚辰股份(688123)、瀾起科技(688008)、北京君正(300223)等

本文核心數(shù)據(jù):DRAM市場(chǎng)規(guī)模、競(jìng)爭(zhēng)格局、前景預(yù)測(cè)

1、DRAM發(fā)展概述

DRAM的技術(shù)發(fā)展路徑是以微縮制程來提高存儲(chǔ)密度。制程工藝進(jìn)入20nm之后,制造難度大幅提升,內(nèi)存芯片廠商對(duì)工藝的定義從具體的線寬轉(zhuǎn)變?yōu)樵诰唧w制程范圍內(nèi)提升二或三代技術(shù)來提高存儲(chǔ)密度。譬如,1X/1Y/1Z是指10nm級(jí)別第一代、第二代、第三代技術(shù),未來還有1α/1β/1γ。

目前市場(chǎng)上DRAM的應(yīng)用較為廣泛的制程是2Xnm和1Xnm,三星、美光、海力士等巨頭廠商均已開發(fā)出1Znm制程的DRAM。國產(chǎn)DRAM廠商合肥長(zhǎng)鑫現(xiàn)已量產(chǎn)的DRAM為19nm制程,預(yù)計(jì)2021年可投產(chǎn)17nmDRAM,技術(shù)與國際先進(jìn)的廠商還有較大的差距。

圖表1:國際大廠DRAM制程

2、DRAM市場(chǎng)規(guī)模

2016-2022年,全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模波動(dòng)變化,2021年銷售額達(dá)940億美元,同比增長(zhǎng)39.47%。伴隨著消費(fèi)電子需求冷卻,2022年銷售額達(dá)到797億美元,同比下降15.21%。

圖表2:2016-2022年全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模(單位:億美元)

從全球DRAM芯片市場(chǎng)銷售區(qū)域格局來看,美國和中國是DRAM芯片的主要消費(fèi)市場(chǎng),市場(chǎng)份額合計(jì)在70%以上。2022年,中國購買了全球30%的DRAM芯片,排名全球第二,僅次于美國的33%。

圖表3:2022年全球NAND市場(chǎng)分布(單位:%)

3、DRAM市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局

DRAM市場(chǎng)集中度較高,行業(yè)主要被三星、海力士、美光三大廠商所壟斷,2022年三大廠商市場(chǎng)份額達(dá)90%以上。

圖表4:2021年全球DRAM市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局(單位:%)

4、DRAM市場(chǎng)趨勢(shì)及發(fā)展前景

——DRAM市場(chǎng)趨勢(shì):工藝微縮

與NAND閃存不同,因?yàn)镈RAM比較難堆疊芯片層數(shù),所以制造商大多只能以減少電路間距的方式,提高性能效率。拉近電路距離的好處包含提高信號(hào)處理速度、降低工作電壓,以及增加每個(gè)硅片的DRAM產(chǎn)量。這也是各大制造商展開納米競(jìng)爭(zhēng)的緣由。

圖表5:全球存儲(chǔ)芯片主要企業(yè)NAND最新技術(shù)進(jìn)展

——DRAM前景預(yù)測(cè)

根據(jù)Yole數(shù)據(jù),2022年全球DRAM實(shí)現(xiàn)銷售額797億美元;2016-2022年市場(chǎng)年均復(fù)合增長(zhǎng)率為11.8%。據(jù)此,前瞻保守估計(jì)未來5年DRAM市場(chǎng)規(guī)模將以12%左右的增長(zhǎng)率增長(zhǎng),到2028年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到1438億美元左右。

圖表6:2023-2028年全球DRAM市場(chǎng)前景預(yù)測(cè)(單位:億美元)

更多本行業(yè)研究分析詳見前瞻產(chǎn)業(yè)研究院《中國存儲(chǔ)芯片行業(yè)市場(chǎng)需求與投資前景預(yù)測(cè)》。

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2024-2029年中國存儲(chǔ)芯片行業(yè)市場(chǎng)需求與投資前景預(yù)測(cè)
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作者 盧敏
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