靜電卡盤國(guó)產(chǎn)化,半導(dǎo)體零部件的艱難突圍
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作者|解碼工作室 來(lái)源|解碼Decode(ID:kankeji001)
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有這樣一條規(guī)律,“一代技術(shù)、一代工藝、一代設(shè)備”,先研發(fā)出技術(shù),然后形成工藝,最后再形成設(shè)備。因?yàn)椴粩嘤行录夹g(shù)出現(xiàn),產(chǎn)生了新工藝,新的設(shè)備才會(huì)有企業(yè)買。
而半導(dǎo)體設(shè)備的升級(jí)迭代,很大程度上有賴于精密零部件的關(guān)鍵技術(shù)突破。精密零部件不僅是半導(dǎo)體設(shè)備制造中難度較大、技術(shù)含量較高的環(huán)節(jié)之一,也是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備“卡脖子”的環(huán)節(jié)之一,也支撐著整個(gè)半導(dǎo)體芯片制造和現(xiàn)代電子信息產(chǎn)業(yè)。
按照通用性劃分,半導(dǎo)體零部件可以分為精密機(jī)加件和通用外購(gòu)件。
精密機(jī)加件一般由各設(shè)備公司工程師自行設(shè)計(jì),委外加工,一般只用于本公司生產(chǎn)設(shè)備,如工藝腔室、傳輸腔室。這種零部件的國(guó)產(chǎn)化相對(duì)容易,但對(duì)表面處理、精密機(jī)加工等技術(shù)要求較高。
而通用外購(gòu)件一般是經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期驗(yàn)證,得到眾多設(shè)備商、晶圓制造廠廣泛認(rèn)可的零部件,更加標(biāo)準(zhǔn)化,應(yīng)用數(shù)量也更大,不僅設(shè)備商會(huì)采購(gòu),晶圓廠也會(huì)采購(gòu)此類部件作為耗材和備件使用,例如石英件、射頻電源、泵、閥門、密封圈、流量計(jì)、陶瓷件等。這類零部件需要較強(qiáng)的通用性和一致性,且要得到設(shè)備商、晶圓廠的認(rèn)證,因此國(guó)產(chǎn)化難度較大。
靜電卡盤就屬于開發(fā)技術(shù)難度較大的一種。
在先進(jìn)的大規(guī)模集成電路制造過(guò)程中有著幾百種工藝步驟,晶圓片需要在多達(dá)幾百種的工藝設(shè)備之間來(lái)回傳輸并進(jìn)行加工檢測(cè)。在加工過(guò)程中,晶圓片必須被十分平穩(wěn)、固定地安放在工藝設(shè)備上。
完成這一系列操作就需要用到卡盤,根據(jù)工作原理、結(jié)構(gòu)形式、夾緊方式等方面的不同,卡盤主要分為機(jī)械卡盤、真空卡盤、靜電卡盤三種類型。其中靜電卡盤由于其對(duì)工件損傷小、精度高等特點(diǎn),被廣泛運(yùn)用于半導(dǎo)體制造工藝等需要精密加工的場(chǎng)景。
一
半導(dǎo)體工藝固定晶圓的“無(wú)形之手”
靜電卡盤(Electrostatic Chuck,簡(jiǎn)稱E-Chuck),其原理是利用靜電吸附原理將待加工晶圓吸附在其表面,使晶圓保持較好的平坦度,可以抑制晶圓在工藝中的變形,并且可以通過(guò)背吹氣體來(lái)控制晶圓表面溫度。
相較于機(jī)械卡盤,靜電吸盤減少了機(jī)械運(yùn)動(dòng)部件,降低了顆粒污染,增大晶片的有效面積。與真空吸盤相比,靜電吸盤可用于低壓強(qiáng)(真空)環(huán)境,適用于需要利用卡盤控制晶片溫度的場(chǎng)合。
憑借這些特性,靜電卡盤被廣泛用于PVD、刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)等設(shè)備,其在半導(dǎo)體制造工藝的多個(gè)環(huán)節(jié)扮演著重要作用。
現(xiàn)代半導(dǎo)體工藝中包含晶圓的清洗、氧化、光刻、刻蝕、沉積等環(huán)節(jié),每個(gè)環(huán)節(jié)中又涉及到多種工序,這其中離子摻雜、離子注入、物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)等工序均需要保證晶圓的平穩(wěn)固定,因此都需要靜電卡盤來(lái)進(jìn)行夾持。
在半導(dǎo)體制造工藝中,晶圓的平整度與潔凈度對(duì)整個(gè)半導(dǎo)體制造的精度與良率至關(guān)重要,相較于傳統(tǒng)的機(jī)械卡盤與真空卡盤,靜電卡盤因吸附力均勻、污染小、可作用于真空環(huán)境等優(yōu)勢(shì)也就成了不二之選。
而靜電卡盤的關(guān)鍵與難點(diǎn)則在于溫度控制。
半導(dǎo)體工藝中對(duì)晶圓的溫度控制至關(guān)重要,以干法刻蝕為例,需要將晶圓控制在100°C到-70°C的某一特定溫度下以維持某種刻蝕特性,因此需要通過(guò)靜電卡盤對(duì)晶圓進(jìn)行加熱或散熱,從而對(duì)晶圓溫度進(jìn)行精準(zhǔn)控制。
隨著新一代半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,低溫刻蝕與沉積等工藝通常需要晶圓達(dá)到更低的溫度,因此對(duì)靜電卡盤的散熱性能就提出了更高的要求。
從技術(shù)角度看,除所承載晶圓規(guī)格尺寸逐步增大之外,靜電卡盤的發(fā)展趨勢(shì)主要表現(xiàn)為溫度均勻性控制需求提升,即分區(qū)溫控溫區(qū)數(shù)量逐漸提高。
2000年前后,分區(qū)溫控溫區(qū)數(shù)量一般為2區(qū),2000年至2005年期間,分區(qū)溫控溫區(qū)數(shù)量一般為4區(qū),而在現(xiàn)階段,已有超過(guò)100溫區(qū)的靜電卡盤產(chǎn)品被研發(fā)生產(chǎn)并投入實(shí)際應(yīng)用。
二
美日壟斷嚴(yán)重
半導(dǎo)體設(shè)備的種類大致分為機(jī)械類、電氣類、機(jī)電一體類等大類,但由于半導(dǎo)體設(shè)備精密度高、結(jié)構(gòu)復(fù)雜,需要的零部件種類及數(shù)量極其龐大,在每一個(gè)大類中也有較多的細(xì)分品類,導(dǎo)致市場(chǎng)高度碎片化。
據(jù)芯謀研究數(shù)據(jù),2020年中國(guó)晶圓廠商采購(gòu)的8-12寸晶圓設(shè)備零部件產(chǎn)品結(jié)構(gòu)占比較大的分別為石英件、射頻發(fā)生器、泵、閥門、吸盤、反應(yīng)腔噴淋頭等,分別占比11%、10%、10%、9%、9%、8%。
由于細(xì)分品類的高度碎片化,并且不同零部件之間存在著一定的差異性和技術(shù)壁壘,因此半導(dǎo)體零部件市場(chǎng)并未出現(xiàn)一個(gè)壟斷型的大型供應(yīng)商,各賽道的龍頭供應(yīng)商大多是專長(zhǎng)于單一或少數(shù)品類。
例如ZEISS專長(zhǎng)光學(xué)部件,Edwards、日本荏原的真空泵,AE布局射頻發(fā)生器,VAT的閥門零部件等。主要龍頭廠商收入體量大多在幾億美元到十幾億美元的體量,相較數(shù)百億美元的總市場(chǎng)規(guī)模,各自在總體市場(chǎng)中份額都不高。
據(jù)VLSI Research數(shù)據(jù),近10年里,半導(dǎo)體零部件市場(chǎng)前十大供應(yīng)商的市場(chǎng)份額總和穩(wěn)定在50%左右。
從地域分布上看,除了光刻機(jī)零部件市場(chǎng)以ASML和其全球供應(yīng)鏈供應(yīng)商組成以外,其他通用型零部件市場(chǎng)主要由美國(guó)、日本供應(yīng)商主導(dǎo)。國(guó)內(nèi)暫無(wú)規(guī)模相當(dāng)?shù)牧悴考S商出現(xiàn)。
靜電卡盤就是其中一個(gè)典型的細(xì)分零部件市場(chǎng)。
美國(guó)的靜電卡盤制造商包括Applied Materials與Lam Research等,日本的靜電卡盤制造商包括Shinko、TOTO、NTK、Creative Technology Corporation等。
據(jù)QYResearch數(shù)據(jù),Applied Materials、Lam Research與Shinko三家公司,占據(jù)了2021年全球靜電卡盤市場(chǎng)銷售額前三位,占比分別為43.86%、31.42%、10.20%,合計(jì)占比85.48%。
此外,2021年國(guó)內(nèi)靜電卡盤市場(chǎng)也主要由上述的美、日廠商壟斷,其中前三大廠商銷售份額占比超過(guò)93.52%,高于全球CR3,壟斷程度更高。
而靜電卡盤又是半導(dǎo)體制造工藝設(shè)備中價(jià)值量占比相對(duì)較高的核心零部件。
據(jù)拓荊科技招股說(shuō)明書,2019年至2021年Q1-Q3靜電卡盤所屬的機(jī)械類零部件占拓荊科技核心原材料采購(gòu)額比重維持在25%以上,且一直處于所有零部件大類采購(gòu)額比重的第一位。據(jù)珂瑪科技公告,靜電卡盤占刻蝕機(jī)原材料采購(gòu)成本的12.7%。
但目前我國(guó)靜電卡盤的自主水平及國(guó)產(chǎn)化率,與其它半導(dǎo)體零部件、關(guān)鍵原材料的處境一致,用低情商的說(shuō)法是容易被卡脖子,高情商的說(shuō)法就是可替代空間大。
三
突圍艱難
今年5月23日,日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省正式公布了《外匯法》法令修正案,將先進(jìn)芯片制造所需的23個(gè)品類的半導(dǎo)體設(shè)備列入出口管理的管制對(duì)象,其中包括具有20個(gè)以上溫控區(qū)靜電卡盤的各向異性刻蝕設(shè)備。
似曾相識(shí)的一幕曾經(jīng)也在三星身上上演,2019年日本宣布限制對(duì)韓國(guó)出口光刻膠、氟化聚酰亞胺和氟化氫三種關(guān)鍵的半導(dǎo)體材料,鐵錘剛砸下三天,三星掌門李在镕如坐針氈,專程趕赴日本懇求松口。
但背后的緣由并不相同,換言之,日本宣布半導(dǎo)體零部件卡我們的脖子,我們除了奮發(fā)圖強(qiáng)沒別的辦法。
針對(duì)潛在的靜電卡盤斷供風(fēng)險(xiǎn),目前已有多家國(guó)內(nèi)制造商展開了靜電卡盤的相關(guān)布局,并已取得了許多實(shí)質(zhì)性的進(jìn)展。比如已實(shí)現(xiàn)小規(guī)模量產(chǎn)的華卓精科和取得突破性進(jìn)展的中瓷電子。
這種單點(diǎn)的突破僅限于單一層面的從0到1,而放眼整個(gè)半導(dǎo)體零部件市場(chǎng),想要全面或者部分的突圍,難度依舊很大。
主要在于半導(dǎo)體零部件產(chǎn)業(yè)是一個(gè)高度分散但又有技術(shù)壁壘的市場(chǎng),且有國(guó)產(chǎn)替代和用國(guó)產(chǎn)替代又是兩回事。而具體到半導(dǎo)體零部件的卡脖子現(xiàn)狀,仍有5個(gè)需要解決的關(guān)鍵點(diǎn):
1 對(duì)原料的性能要求高
我國(guó)機(jī)械加工產(chǎn)業(yè)成熟,但材料產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)較為薄弱,具體指標(biāo)尚待精進(jìn)。
如精密陶瓷件對(duì)原料關(guān)鍵指標(biāo)的要求較高,需要高純度、高精密度、非常均勻且穩(wěn)定的組織結(jié)構(gòu),國(guó)內(nèi)材料廠尚處于研發(fā)環(huán)節(jié);
2 后工序處理難度大
半導(dǎo)體設(shè)備精密零部件產(chǎn)品具備高精密、高潔凈、高耐腐蝕、耐擊穿電壓等性能,因此在加工件中,形狀加工僅是基礎(chǔ),僅滿足形狀精度要求,后端的表面處理與清洗工藝中有更多的技術(shù)積累。
例如對(duì)于反應(yīng)腔而言,需要同時(shí)具備耐腐蝕、耐擊穿、高潔凈度,并能實(shí)現(xiàn)高密封性和高真空度;
3 復(fù)雜電氣類產(chǎn)品的開發(fā)研制難度高
半導(dǎo)體設(shè)備是復(fù)雜的機(jī)電一體化系統(tǒng),其中涉及到大量的電氣組件使用,相較金屬加工件,電氣類組件的結(jié)構(gòu)更復(fù)雜,國(guó)內(nèi)相關(guān)廠商仍處于起步階段。
例如泵產(chǎn)品,雖然沈陽(yáng)科儀已成為國(guó)內(nèi)晶圓線干泵的主要供應(yīng)商之一,但半導(dǎo)體級(jí)的高真空度冷凝泵和渦輪泵國(guó)產(chǎn)化率仍舊較低;
4 認(rèn)證體系復(fù)雜,周期長(zhǎng)
半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)內(nèi)有較為嚴(yán)格的認(rèn)證體系和供應(yīng)商資質(zhì)認(rèn)證體系,若要進(jìn)入國(guó)內(nèi)外設(shè)備廠商的供應(yīng)鏈,需要經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期且嚴(yán)苛的客戶認(rèn)證,獲得認(rèn)證后也要持續(xù)進(jìn)行不定期的資質(zhì)復(fù)審,才能與下游客戶建立長(zhǎng)期穩(wěn)定的合作關(guān)系;
5 市場(chǎng)碎片化
例如Gauge、MFC、O-ring等零部件,不僅對(duì)精度和材料的要求高,而且半導(dǎo)體級(jí)產(chǎn)品的市場(chǎng)規(guī)模很小,各品類下的廠商體量都較小。通常用于食品、醫(yī)藥等領(lǐng)域的產(chǎn)品不滿足半導(dǎo)體級(jí)規(guī)格,半導(dǎo)體級(jí)產(chǎn)品存在較多技術(shù)壁壘、軟實(shí)力要求高,有許多Know-How。
四
尾聲
很多時(shí)候,有一種聲音說(shuō)國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體是“被逼著”發(fā)展的,中美沖突后才開始加大力度。其實(shí)這話說(shuō)對(duì)了一半,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體發(fā)展的確是受到制裁后才闖入大眾視野,但我們其實(shí)在2014年就加大半導(dǎo)體投資力度了。
像以碳化硅、氮化鎵為主的第三代半導(dǎo)體,早在2013年科技部就在國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃(863計(jì)劃)中列了出來(lái),前一段時(shí)間又限制了鎵和鍺的出口,本質(zhì)上這也是一種自我保護(hù)和產(chǎn)業(yè)升級(jí)。
2021年10月29日,在華為軍團(tuán)組建成立大會(huì)上,任正非喊出了“沒有退路就是勝利之路”的宣言,其實(shí)也同樣適用于國(guó)內(nèi)眾多的半導(dǎo)體零部件廠商。
再說(shuō),緩慢的進(jìn)步也是進(jìn)步。
參考資料
[1] 電子陶瓷打造中國(guó)“京瓷”,進(jìn)軍第三代半導(dǎo)體,財(cái)通證券
[2] 靜電卡盤,“卡”了我們的脖子,它到底是啥?粉體工業(yè)
[3] 機(jī)械設(shè)備行業(yè)深度分析報(bào)告:半導(dǎo)體設(shè)備零部件國(guó)產(chǎn)化加速,開啟千億新藍(lán)海,財(cái)通證券
[4] 半導(dǎo)體行業(yè)深度報(bào)告:國(guó)產(chǎn)替代核心部件,百舸爭(zhēng)流加速崛起,民生證券
[5] 半導(dǎo)體零部件系列研究之靜電卡盤:靜電卡盤是半導(dǎo)體關(guān)鍵零部件,技術(shù)壁壘高,光大證券
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