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2023年中國(guó)IGBT芯片技術(shù)與產(chǎn)品分析 與國(guó)際先進(jìn)水平差距將進(jìn)一步縮短【組圖】

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20 吳佳甜 ? 2023-02-15 14:12:34  來(lái)源:前瞻產(chǎn)業(yè)研究院 E10406G0

行業(yè)主要上市公司:宏微科技(688711);斯達(dá)半導(dǎo)(603290);華潤(rùn)微(688396);時(shí)代電氣(688187);士蘭微(600460);比亞迪(002594)等

本文核心數(shù)據(jù):企業(yè)研發(fā)投入;市場(chǎng)行情

IGBT芯片技術(shù)發(fā)展

從20世紀(jì)80年代至今,IGBT芯片經(jīng)歷了7代升級(jí),從平面穿通型(PT)到溝槽型電場(chǎng)-截止型(FS-Trench),芯片面積、工藝線(xiàn)寬、通態(tài)飽和壓降、關(guān)斷時(shí)間、功率損耗等各項(xiàng)指標(biāo)經(jīng)歷了不斷的優(yōu)化,斷態(tài)電壓也從600V提高到6500V以上。IGBT技術(shù)的整體發(fā)展趨勢(shì)是大電流、高電壓、低損耗、高頻率、功能集成化、高可靠性。

圖表1:IGBT技術(shù)發(fā)展歷程及趨勢(shì)

不同代際IGBT芯片產(chǎn)品對(duì)比

隨著技術(shù)的升級(jí),IGBT芯片面積、工藝線(xiàn)寬、通態(tài)功耗、關(guān)斷時(shí)間、開(kāi)關(guān)功耗均不斷減小,斷態(tài)電壓由第一代的600V升至第七代7000V。

圖表2:不同代際IGBT產(chǎn)品特點(diǎn)

不同代際的IGBT芯片產(chǎn)品應(yīng)用情況也有所不同:

圖表3:不同代際IGBT產(chǎn)品應(yīng)用情況

中國(guó)IGBT芯片企業(yè)技術(shù)布局

中國(guó)IGBT產(chǎn)品與國(guó)際巨頭英飛凌、三菱電機(jī)等差距在10年以上,步入第5代后,預(yù)計(jì)差距將縮短為10年,第6/7代產(chǎn)品差距將在5年以?xún)?nèi)。從中國(guó)IGBT芯片行業(yè)代表性企業(yè)從技術(shù)格局來(lái)看,斯達(dá)半導(dǎo)應(yīng)用第七代IGBT技術(shù),電壓覆蓋范圍為100-3300V;華微電子布局第六代IGBT技術(shù),電壓覆蓋范圍為360-1350V;士蘭微、時(shí)代電氣、宏微科技應(yīng)用第五代IGBT技術(shù);新潔能主要應(yīng)用第四代IGBT技術(shù)。

圖表4:中國(guó)IGBT芯片行業(yè)企業(yè)技術(shù)布局

IGBT芯片行業(yè)科研投入水平

以宏微科技、斯達(dá)半導(dǎo)、士蘭微、時(shí)代電氣為主要代表企業(yè)分析,2018-2021年,我國(guó)IGBT芯片行業(yè)研發(fā)費(fèi)用從0.1元到19億元不等,研發(fā)費(fèi)用占營(yíng)業(yè)收入比重整體不超過(guò)15%。其中,時(shí)代電氣在科研投入規(guī)模和占比均位于行業(yè)前列,2021年,公司研發(fā)投入為17.85億元,占收入比重的11.81%。

圖表5:2018-2021年IGBT芯片行業(yè)研發(fā)投入占營(yíng)業(yè)收入比重情況(單位:%)

IGBT芯片技術(shù)“門(mén)檻”高,不僅涉及設(shè)計(jì)、制造、封裝三個(gè)高精尖技術(shù)領(lǐng)域,而且難度大、周期長(zhǎng)、投入高。高鐵、智能電網(wǎng)、新能源與高壓變頻器等領(lǐng)域所采用的IGBT模塊規(guī)格在6500V以上,技術(shù)壁壘較強(qiáng);IGBT芯片設(shè)計(jì)制造、模塊封裝、失效分析、測(cè)試等IGBT產(chǎn)業(yè)核心技術(shù)仍掌握在發(fā)達(dá)國(guó)家企業(yè)手中。我國(guó)要想實(shí)現(xiàn)IGBT芯片的技術(shù)突破,企業(yè)需要持續(xù)增加研發(fā)投入,減少與國(guó)際頭部廠(chǎng)商IGBT芯片的代際差異。

中國(guó)IGBT芯片行業(yè)技術(shù)趨勢(shì)

從行業(yè)整體發(fā)展規(guī)律而言,IGBT發(fā)展趨勢(shì)主要是降低損耗和降低成本。

從結(jié)構(gòu)上講,IGBT主要有三個(gè)發(fā)展方向:

1)IGBT縱向結(jié)構(gòu):非透明集電區(qū)NPT型、帶緩沖層的PT型、透明集電區(qū)NPT型和FS電場(chǎng)截止型;

2)IGBT棚極結(jié)構(gòu):平面棚機(jī)構(gòu)、Trench溝槽型結(jié)構(gòu);

3)硅片加工工藝:外延生長(zhǎng)技術(shù)、區(qū)熔硅單晶。

圖表6:IGBT發(fā)展方向

以上數(shù)據(jù)來(lái)源于前瞻產(chǎn)業(yè)研究院《中國(guó)IGBT芯片行業(yè)市場(chǎng)前瞻與投資戰(zhàn)略規(guī)劃分析報(bào)告》。

同時(shí)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院還提供產(chǎn)業(yè)大數(shù)據(jù)、產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、園區(qū)規(guī)劃、產(chǎn)業(yè)招商、產(chǎn)業(yè)圖譜、智慧招商系統(tǒng)IPO募投可研、IPO業(yè)務(wù)與技術(shù)撰寫(xiě)、IPO工作底稿咨詢(xún)等解決方案。

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2024-2029年中國(guó)IGBT芯片行業(yè)市場(chǎng)前瞻與投資戰(zhàn)略規(guī)劃分析報(bào)告
2024-2029年中國(guó)IGBT芯片行業(yè)市場(chǎng)前瞻與投資戰(zhàn)略規(guī)劃分析報(bào)告

本報(bào)告前瞻性、適時(shí)性地對(duì)IGBT芯片行業(yè)的發(fā)展背景、供需情況、市場(chǎng)規(guī)模、競(jìng)爭(zhēng)格局等行業(yè)現(xiàn)狀進(jìn)行分析,并結(jié)合多年來(lái)IGBT芯片行業(yè)發(fā)展軌跡及實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),對(duì)IGBT芯片行業(yè)未來(lái)...

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前瞻數(shù)據(jù)庫(kù)
企查貓
作者 吳佳甜
產(chǎn)業(yè)研究員、分析師
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