【行業(yè)深度】洞察2023：中國(guó)IGBT芯片行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局及市場(chǎng)份額(附市場(chǎng)集中度、企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力評(píng)價(jià)等)

行業(yè)主要上市公司：宏微科技(688711);斯達(dá)半導(dǎo)(603290);華潤(rùn)微(688396);時(shí)代電氣(688187);士蘭微(600460);比亞迪(002594)等

本文核心數(shù)據(jù)：IGBT芯片主要上市企業(yè)市場(chǎng)份額、相關(guān)業(yè)務(wù)占比

1、中國(guó)IGBT芯片行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)梯隊(duì)

IGBT芯片行業(yè)依據(jù)企業(yè)的注冊(cè)資本劃分，可分為3個(gè)競(jìng)爭(zhēng)梯隊(duì)。其中，注冊(cè)資本大于10億元的企業(yè)有時(shí)代電氣、士蘭微;注冊(cè)資本在5-10億元之間的企業(yè)有：華微電子、楊杰科技;其余企業(yè)，如斯達(dá)半導(dǎo)體、比亞迪半導(dǎo)體，注冊(cè)資本在5億元以下。

2、中國(guó)IGBT芯片行業(yè)市場(chǎng)份額

中國(guó)IGBT芯片行業(yè)企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)集群按經(jīng)營(yíng)模式大致可以分為三類，第一類為IDM，即設(shè)計(jì)+制造企業(yè)，代表有士蘭微、華微電子、時(shí)代電氣等;第二類為Fabless，僅設(shè)計(jì)企業(yè)，代表有斯達(dá)半導(dǎo)、宏微科技、中科君芯等;第三類為Foundry，僅代工企業(yè)，代表有華虹宏力、中芯國(guó)際、上海先進(jìn)等。

中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)主辦的“第十五屆中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件年會(huì)暨2021年中國(guó)半導(dǎo)體器件技術(shù)創(chuàng)新及產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇”在大連成功召開，會(huì)上公布了中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)功率器件十強(qiáng)企業(yè)名單，其中IGBT芯片企業(yè)華潤(rùn)微、楊杰科技、士蘭微、華微電子、新潔能上榜。

中國(guó)IGBT芯片行業(yè)代表性企業(yè)從技術(shù)格局來(lái)看，斯達(dá)半導(dǎo)應(yīng)用第七代IGBT技術(shù)，電壓覆蓋范圍為100-3300V;華微電子布局第六代IGBT技術(shù)，電壓覆蓋范圍為360-1350V;士蘭微、時(shí)代電氣、宏微科技應(yīng)用第五代IGBT技術(shù);新潔能主要應(yīng)用第四代IGBT技術(shù)。

從IGBT芯片產(chǎn)品主要應(yīng)用領(lǐng)域來(lái)看，時(shí)代電氣、斯達(dá)半導(dǎo)兩家企業(yè)覆蓋領(lǐng)域較廣，時(shí)代電氣IGBT芯片主要應(yīng)用領(lǐng)域覆蓋了軌交、車載、光伏、風(fēng)電、工控等，斯達(dá)半導(dǎo)IGBT芯片主要應(yīng)用領(lǐng)域覆蓋車載、光伏、風(fēng)電、工控、家電等。

3、中國(guó)IGBT芯片行業(yè)市場(chǎng)集中度

目前，中國(guó)IGBT芯片行業(yè)自給率較低，大部分依賴進(jìn)口，國(guó)內(nèi)主要市場(chǎng)份額被英飛凌、富士、三菱等企業(yè)壟斷。由于IGBT單管及模塊企業(yè)同樣是主要的IGBT芯片生產(chǎn)企業(yè)，故從IGBT單管及模塊市場(chǎng)集中度來(lái)大致反映國(guó)內(nèi)IGBT芯片市場(chǎng)集中度狀況，2020年，全球IGBT單管市場(chǎng)CR3、CR5、CR10分別為54.2%、657.4%、85.7%;全球IGBT模塊市場(chǎng)CR3、CR5、CR10分別為57.6%、66.7%、79.1%。綜合來(lái)看，IGBT單管及模塊市場(chǎng)集中度高，市場(chǎng)份額被頭部企業(yè)壟斷，大致可以反映出我國(guó)IGBT芯片市場(chǎng)集中度同樣較高，國(guó)外頭部企業(yè)及國(guó)內(nèi)代表性企業(yè)占據(jù)了主要市場(chǎng)份額。

注：上圖數(shù)據(jù)時(shí)間節(jié)點(diǎn)為2020年。

4、中國(guó)IGBT芯片行業(yè)企業(yè)布局及競(jìng)爭(zhēng)力評(píng)價(jià)

我國(guó)IGBT芯片廠商生產(chǎn)模式各有不同，其下游客戶及產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域也有所差異。例如，士蘭微下游主要市場(chǎng)為白電、工控、新能源車、光伏領(lǐng)域;華潤(rùn)微下游主要應(yīng)用于工控、新能源車領(lǐng)域;時(shí)代電氣主要布局軌交、電網(wǎng)、新能源車、新能源發(fā)電領(lǐng)域;斯達(dá)半導(dǎo)主要開拓工業(yè)、新能源車、光伏下游領(lǐng)域;新潔能下游市場(chǎng)為光伏、白電領(lǐng)域;宏微科技主要布局工控、光伏、新能源車領(lǐng)域。

主要代表企業(yè)中，時(shí)代電氣2021年整體營(yíng)業(yè)收入規(guī)模最大，為151億元，但I(xiàn)GBT業(yè)務(wù)收入占比較少，約為6%;斯達(dá)半導(dǎo)IGBT業(yè)務(wù)專注度較高，雖然整體營(yíng)收規(guī)模一般(約為17億元)，但I(xiàn)GBT收入達(dá)16億元，占比超過(guò)94%。從企業(yè)IGBT芯片業(yè)務(wù)的競(jìng)爭(zhēng)力來(lái)看，斯達(dá)半導(dǎo)的綜合競(jìng)爭(zhēng)能力較強(qiáng)。

5、中國(guó)IGBT芯片行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)狀態(tài)總結(jié)

從五力競(jìng)爭(zhēng)模型角度分析，我國(guó)IGBT芯片行業(yè)上游國(guó)產(chǎn)化程度較低，供應(yīng)能力有限，且定制化程度較高，供應(yīng)上議價(jià)能力較強(qiáng);IGBT芯片市場(chǎng)需求空間較大，產(chǎn)品同質(zhì)化較低，對(duì)外依賴較大，消費(fèi)者議價(jià)能力較弱;IGBT芯片行業(yè)對(duì)潛在進(jìn)入者的吸引力較大，但面臨著資金、技術(shù)、人才等高壁壘，綜合來(lái)看，行業(yè)潛在進(jìn)入者威脅一般;IGBT芯片是目前我國(guó)鼓勵(lì)的發(fā)展方向，在多個(gè)領(lǐng)域應(yīng)用程度較深，在新能源汽車、新能源發(fā)電等領(lǐng)域的應(yīng)用空間將逐漸擴(kuò)大，因此，行業(yè)替代品威脅較低;此外，我國(guó)IGBT芯片行業(yè)處于成長(zhǎng)期，國(guó)產(chǎn)替代的背景下，行業(yè)內(nèi)現(xiàn)有競(jìng)爭(zhēng)者競(jìng)爭(zhēng)較為激烈。

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